SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Вряд ли китайский революционер подозревал, насколько сильно скакнёт развитие технологий в следующие 50 лет. Правда, такой быстрый прогресс доступен далеко не для всех — цены растут так же быстро, как и количество транзисторов на кристаллах процессоров. Дешевле проапгрейдить текущее железно, нежели выкладывать круглую сумму за новый ноутбук. Первый трай — он трудный самый.

Совместимость модулей ОЗУ (текущей и планируемой)

В ноутбуках используется оперативная память форм-фактора SO-DIMM.

Совместимость модулей оперативной памяти зависит, в том числе, от тактико-технических характеристик материнской платы и процессора.

Какой тип памяти она поддерживает? Как работает контроллер памяти в CPU? Окей, как минимум одна плашка оперативки у нас в ноутбуке так или иначе* присутствует и можно ориентироваться на неё.

Итак, что мы имеем. В нашем случае стоял модуль Kingston 2gb 1rx16 pc3l-12800s-11-11-c3.

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Что значат все эти параметры? Начнем с самого начала:

1Rx16

Цифра один даёт нам понять, что перед нами одноранговый модуль. Ранг (R) — это блок данных шириной 64 бита без кода исправления ошибок (ECC), созданный с использованием некоторых или всех микросхем памяти в модуле. Параметр x16 —  «ширина» шины данных каждого DRAM (чипа). Конкретно число 16 — количество банков в одном чипе.

Как мы видим по фотке у нас их всего 4. Чем больше банков, тем меньше чипов в модуле памяти, тем выше надежность и ниже энергопотребление. Соответственно в 1Rx8 будет иметь уже 8 чипов, а 1Rx4 целых 16 чипов — многовато. Что касается совместимости, то 1Rx16 и 2Rx8 не совместимы между собой — см. ошибку в конце статьи, при этом 1Rx8 и 2Rx8 могут быть совместимы между собой

PC3L

Параметр напряжения питания. PC3L использует пониженное рабочее напряжение (1.35 В), в то время как «обычный» PC3 работает на 1,5В.

Здесь нюанс в том, что PC3L может спокойно работать на «стандартном» напряжении в 1,5В, в то время как PC3 на пониженном (1,35В) уже не заведётся.

В целом PC3 (DDR3) и PC3L (DDR3L) могут поладить друг с другом, но  лучше не рисковать и искать одинаковые планки, иначе возможны не иллюзорные проблемы в виде самопроизвольной перезагрузки

12800S

Так обозначается пропускная способность. а S расшифровывается как SO-DIMM. Данный модуль пропускает через себя ежесекундно 12800 МБ данных (PC-12800). Такая пропускная способность соответствует эффективной частоте 1600 МГц (1600 миллионов транзакций в секунду). Она  складывается из частоты памяти (200 МГц) и частоты шины (800 МГц).

В совокупности с предыдущим параметром (PC3L) мы понимаем, что наш типа памяти DDR3L SODIMM (посмотреть список частот и определить свой тип памяти можно здесь).

Но DDR3 (DDR3L) может быть и с другими параметрами: 800Мгц (PC3-6400) или 1866Мгц (PC3-14900). Это нужно учитывать при покупке.

Ну и совсем очевидный совет: если у вас стоит DDR3-модуль, то и второй должен быть аналогичный (не DDR2 и не DDR4)

11-11-c3

Последние параметры многие ошибочно принимают за тайминги. Это не совсем так. Только первое число в данном случае — тайминг. Давайте по порядку:

  • Первое число 11 — это CAS Latency (CL). Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта.
  • Второе число 11это SPD Revision. Уровень кодирования и дополнений JEDEC (комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции), который утверждает стандарты оперативной памяти.
  • C3 — это Gerber Revision. Он же JEDEC Reference design. Картину мира это раскрывает практически никак. Поэтому здесь лучше ориентироваться на такие же цифры/буквы в планируемом модуле ОЗУ. Будут ли вместе работать, например, 11-11-c3 и 11-13-B4 при одинаковой пропускной способности (12800S)? Такой вариант, в принципе, допустим, но, опять же, модули лучше искать идентичные полностью.

Подобрать оперативную память

Как узнать, какая у меня оперативная память установлена в данный момент?

Вскрывать для этого ноутбук не нужно. Во-первых, можно нагуглить по модели ноутбука. В спеках всегда указывается какой тип памяти поддерживается контроллером памяти.

Правда, даже в цифровых магазинах данные не всегда совпадают. Например, модель Acer Aspire E5-511-P4Y5. На сайте одной из известных сетей по продаже электроники указано, что слот под память у них один.

На самом деле в модели два слота под ОЗУ. Но тип памяти указан верно — DDRL3

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Второй вариант — более практичный и точный. Использовать утилиту CPU-Z. Она покажет тип памяти и частоту, с которой запустилась оперативная память (она не всегда стартует с паспортной частотой). Нас интересуют две вкладки — SPD и Memory

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Итак, что мы здесь видим. Вкладка Memory (текущее состояние памяти — это важно). Тип — DDR3, двухканальный режим, т.е. количество запущенных каналов памяти у нас два (т.к. две планки).

Самый интересный параметр — DRAM frequency («Частота DRAM»). И здесь возникает главный вопрос — «Почему так мало? Ведь на моей памяти указано 1333 или 1600 Мгц!». Ошибки тут нет.

Помните раздел про пропускную способность чуть выше по тексту?

Программа показывает реальную частоту, которую нужно умножить на два , т.к. тип памяти DDR (расшифровывается как DOUBLE Data Rate) работает с удвоенным объемам данных за один такт.  Таким образом мы получаем 667 x 2 = 1333Мгц эффективной частоты работы памяти. CPU Z одна из немногих программ, которая показывает реальную частоту, поэтому и возникает столько вопросов.

Тоже самое касается и вкладки SPD.

Что это вообще такое? SPD (Serial Presence Detect) — это специальный чип, в котором зашиты данные о производители и о рекомендуемых параметрах работы этого модуля памяти.

В Max Bandwidth указан максимальный стандартный по JEDEC режим. Там у нас указано 800 Mhz (что равно эффективной частоте 1600Mhz) — для данного модуля памяти это потолок.

Примеры совместимости

Память DDR4 PC4-19200 2400МГц (тайминги 16-16-16-36)

  • Acer Aspire A315-21-978V с процессором AMD A9-9420e
  • Acer aspire E 15 E5-575G-78J8
  • ASUS VivoBook Pro 15 N580VD-DM260

Память DDR4 PC4-21300 2666МГц (19-19-19)

  • DELL Inspiron 7577 с процессором Intel Core i7 7700HQ 2.8ГГц
  • Lenovo y520 legion
  • Acer an515 54 55qn
  • Acer Aspire A715-71G-56BD с процессором Intel Core i5 7300HQ 2.5ГГц

Память DDR3 PC3-10600  1333МГц 

  • Ноутбук Lenovo B570e
  • Sony Vaio pcg-91212v
  • Asus U32U с процессором AMD E-450
  • Acer Aspire 5253g

Память DDR3 PC3-12800 1600МГц

  • Sony SVE11113FXW с процессором AMD E2-1800 APU
  • HP Pavilion G6-2008er
  • ноутбук ASUS K53SM.
  • HP Pavilium g6 с процессором Mobile DualCore AMD A4-4300M, 3000 MHz

Какой тип памяти поддерживает мой ноутбук?

Самым лучшим и правильным способом будет поиск модели вашего процессора и его характеристик. Конкретно — поддерживаемые типы памяти и частота, на которой они будут работать.

Память с более высокой частотой покупать можно, но никакого смысла нет.

Она, конечно, заработает, но BIOS срежет частоты до тех, на которой будет работать контроллер памяти в процессоре и никакого прироста производительности вы не получите. Пример: Intel Pentium N3540

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Подобрать оперативную память

Как лучше его набрать: одной планкой или двумя?

Если ваш процессор поддерживает двухканальный режим (как в примере выше), то лучше ставить два модуля, чем один (т.е. например 2х4гб лучше, чем 1х8гб). В этом случае производительность будет чуть выше, но далеко не в два раза и не во всех приложениях.

Если процессор поддерживает только одноканальный режим, то выбора не остается — только одна планка.

Впрочем, тут тоже есть свои плюсы — количество крашей и общая надежность системы будет выше за счет пониженной нагрузки на контроллер памяти и отсутствия вероятной несовместимости двух планок между друг другом (такое бывает даже от одного вендора)

Разбор ноутбука для добавления/замены планки ОЗУ

Добавление планки оперативной памяти мы будем осуществлять на примере ноутбука Acer Aspire E5-511-P4Y5. Его проблема в том, что у него нет быстрого доступа к оперативной памяти через заднюю крышку, как, например, у Sony Vaio:

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Если вам так же не повезло, то придётся разбирать ноутбук. Процесс, в принципе, одинаковый для всех ноутбуков — откручиваем болты на крышке, отщелкиваем её, отключаем шлейфы и материнская плата перед нами. Для начала отключаем батарею. Здесь это реализовано с помощью специальной задвижки.

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Дальше откручиваем все винты с задней крышки. Как мы уже писали выше, на этом ноутбуке нет технологических съемных панелей для быстрого извлечения жёсткого диска или оперативной памяти. Поэтому придется откручивать всё:

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Далее нужно отсоединить крышку от корпуса. Здесь аккуратней, сильно не усердствуйте — защелки имеют свойство ломаться

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Не забываем, что крышку нельзя резко поднимать — нужно отключить шлейфы. У нас это шлейф тачпада и клавиатуры

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Здесь еще немного геморроя. Дело в том, что оперативная память крепится на обратной стороне материнки. Придётся снимать и её. Откручиваем винты и снимаем оставшиеся шлейфы. Да, жесткий диск тоже придется отсоединять — он будет мешать вынуть материнскую плату из корпуса

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

  • Переворачиваем материнскую плату и видим свободный слот.
  • Первый модуль материнской платы у нас Kingston 2gb 1rx16 pc3l-12800s-11-11-c3. У нас есть еще один модуль, но с совершенно другими параметрами 2rx8-PC3-11-11-F3

Такой сетап работать не будет. Если ваши модули несовместимы по параметрам, то при загрузке ноутбука вы увидите ошибку «Warning!! Your DIMM1 and DIMM2’S ModuleOrganization is not same, please check it». Перевод тут излишен — модули не синхронизируется между собой

  1. Именно поэтому мы приобрели на Авито аналогичный модуль, который был успешно интегрирован (спасибо продавцу)

После установки памяти ноутбук уходит в BSOD, зависает и т.п

Если в итоге ноутбук запустился, то это не означает, что всё в порядке. Проблемы могут возникнуть уже в процессе эксплуатации:

  • BSOD
  • Кулер вращается на максимальных оборотах и нет видеосигнала.
  • Полное зависание ОС (не реагирует вообще ни на что)
  • Частичное зависание ОС (жуткие лаги и тормоза)
  • По отдельности планки работают, а вместе — ошибки и коллизии.
Читайте также:  Sony Ericsson планирует сократить около 2000 рабочих мест

Траблшутинг здесь довольно ограничен, но кое-что попробовать можно:

  • Понизить частоту памяти в BIOS и выставить стандартные (для вашего типа памяти) тайминги, например 1333MHz и 9-9-9-24
  • Попробовать обновить прошивку BIOS (не рекомендуем выполнять, если не владеете матчастью по данному вопросу). Этот способ часто помогает улучшить совместимость с различными модулями памяти
  • Если есть возможность, сделать сброс CMOS (на материнской плате ищите перемычку CLEAR CMOS). Либо просто сбросьте BIOS на заводские настройки через сервисное меню
  • Если модули разогнаны с завода (низкий латенси), то попробуйте повысить тайминги
  • Проверьте слоты на материнской плате (инсталлируйте одну планку сначала один в слот, потом в другой). Некоторые рекомендуют протереть контакты слотов стирательной резинкой, но рекомендовать данный способ мы точно не можем
  • Не используйте профили XMP — расширение для вышеописанного SPD, которые позволяют выставлять через BIOS более высокие частоты и более короткие тайминги для оперативной памяти.
  • Проверить ОЗУ утилитой memtest86+. Топовая в узких кругах утилита для тестирования памяти. Лучше сразу качать версию Auto-installer for USB Key (Win 7/8/10). С помощью этого инсталлятора вы сможете сделать загрузочную флешку в два клика

Подобрать оперативную память

Модернизация видеокарт с помощью установки большей памяти

  • Производители довольно часто выпускают линейки видеокарт, имеющие одинаковые печатные платы с немного отличающимся набором электронных компонентов в разных моделях.
  • Случалось, что производители видеокарт выпускали видеокарты с программно отключенными чипами памяти, работу которых можно было восстановить прошивкой BIOS.
  • Это свидетельствует о том, что похожие видеокарты не имеют различий в использующейся схемотехнике/элементной базе, либо она настолько мала, что позволяет осуществить достаточно простую модернизацию, увеличивающую их потенциал.
  • С точки зрения майнеров интерес вызывает увеличение доступного объема видеопамяти, которое позволяет значительно расширить доступный для проведения вычислений ряд алгоритмов PoW-майнинга.
  • Для этих целей прекрасно подходят видеокарты Nvidia GTX1060 с тремя гигабайтами памяти, а также изделия производства компании AMD с четырьмя гигабайтами памяти, широко распространенные Radeon RX4xx/5xx серий.

Кроме того, можно модернизировать и другие видеокарты, например, добавить 2 Гб памяти на Radeon RX 462 и т.д. Подобная работа требует высокой квалификации/прямых рук мастера, глубокого знания схеомтехники видеокарт и наличия соответствующего намерения и средств у владельца видеокарты.

Для модернизации видеокарт нужно подобрать подходящие чипы видеопамяти, напаять их на плату и, при необходимости, прошить BIOS от старших собратов. Кроме того, может потребоваться перепайка резисторов на плате видеокарты, отвечающих за конфигурацию подсистемы памяти.

Для увеличения физического объема видеопамяти на видеокарте лучше всего использовать тот способ, который предусмотрен производителем — установку чипов большей плотности (например, ставить чипы по 1 Гб вместо 512 Мб).

Кроме того, теоретически можно задействовать нераскаянные места под память на видеоплате. При этом может получиться конфигурация, не предусмотренная производителем, что может вызвать проблемы с запуском.

Например, сложно предугадать, будет ли работать видеокарта Nvidia GTX1060 с 4 Гб памяти (после припаивания на стандартную плату двух дополнительных банок памяти той же плотности, что и уже установленные — по 512 Mb).

Плата видеокарты Nvidia GTX 1063 производства компании ASUS с тремя гигабайтами видеопамяти. Хорошо видно два пустых посадочных места для моделей на 6 Gb, куда теоретически можно установить еще два аналогичных чипа по 512 Мб, увеличив память до 4 Гб:

Проще всего взять две аналогичные платы одного производителя, сравнить их чипы памяти, а также расположение резисторов, управляющих страпами, и произвести соответствующую замену/апгрейд.

Для этого можно использовать чипы памяти, заказанные на Алиэкспресс/Banggood, либо взятые с доноров.

В случае использования набора микросхем с разными ревизиями чипов памяти, нужно менять расположение конфигурационных резисторов на плате видеокарты и/или, в случае необходимости — BIOS.

Управляющие работой чипов памяти резисторы коммутируют выходы видеопроцессора, ответственные за работу с памятью на землю/питание, формируя логические нули или единицы. Варьируя управляющие комбинации, можно задействовать разные наборы чипов памяти.

В любом случае стоит учитывать, что такая работа довольно сложная и дорогостоящая, поэтому перед практической реализацией такого ремонта стоит хорошо просчитать все затраты, а именно:

  • стоимость нового набора чипов памяти, а также их пересылки с торговой площадки/места продажи;
  • цену работы мастера, который произведет замену чипов памяти и наладку работы обновленной видеокарты.

Логичнее всего такую работу в первую очередь произвести майнеру, который одновременно является специалистом по ремонту BGA-компонентов. Это позволит сократить затраты на эту сложную работу, а также позволит приобрести необходимый опыт для последующей коммерческой реализации подобных заказов от геймеров/майнеров.

Качественная работа по замене чипов памяти на видеокарте требует использования полноценной паяльной станции с нижним и верхним подогревом плат, наличия трафаретов для микросхем, а также других мелочей, необходимых для пайки (флюс, приспособления для снятия припоя, шарики припоя нужного диаметра для реболла, микроскоп и т.д.) и диагностики (post-карта, мультиметр) и т.д. После установки чипов и запуска видеокарты желательно проверить работоспособность подсистемы видеопамяти с помощью программы MATS/MODS (для видеокарт Nvidia).

Реболлинг донорских чипов памяти GDDR5 (шарики по 0,45 мм) на специальном приспособлении:

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

В интернете есть статьи/видео, описывающие успешную практическую реализацию работы по увеличению объема видеопамяти, например по установке микросхем Samsung K4G80325FB-HC25 по 8 Гбит вместо K4G41325FE-HC25 по 4Гбит на видеокарте MSI GTX1060 AERO ITX 3G OC (статья «Апгрейд GTX1060 3Gb до 6Gb«). В этом случае была произведена замена чипов памяти, а также перестановка трех управляющих резисторов по 100 кОм: R91->R84, R94->R86, R93->R85:

Исходное расположение резисторов на видеокарте MSI GTX1060 AERO ITX 3G OC: Расположение резисторов на штатной и модифицированной видеокарте MSI GTX1060 AERO ITX 6G:

В этой же статье приведена фотография конфигурации резисторов для запуска 6 Гб видеопамяти на видеокартах Palit 1060 Dual/StromX:

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

В Youtube-видео «Увеличение объема памяти на видеокарте» с канала Terrabit рассказывается об увеличении памяти видеокарты AMD Radeon HD6870 с 1 ГБ до 2 ГБ. В этом случае были заменены 8 чипов памяти Elpida (по 128 МБ) на микросхемы Hynix MFR (по 256 Мб), прошит другой BIOS и карта прекрасно заработала.

Выпаивание чипов памяти:

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

Наличие ряда статей и видео в интернете свидетельствует о том, что вполне возможно на практике произвести модернизацию видеокарт, установив на них чипы памяти с увеличенным объемом памяти.

Практика показывает, что наибольший успех при memory-апгрейде видеокарт AMD возможен в случае использования BIOS от старших моделей с одинаковым видеочипом. У видеокарт Nvidia возможность модернизации зависит от работоспособности конфигурации, полученной от перестановки управляющих работой памяти резисторов.

Некоторая справочная информация

Микросхемы памяти с плотностью 4 Гбит (512 мегабайт на чип) устанавливаются в видеокартах с 3 гигабайтами видеопамяти (6 штук), а с плотностью 8 Гбит — в 6 гигабайтных.

Таблица технических характеристик некоторых чипов памяти GDDR5 производства компании Hynix

Маркировка памяти Плотность, Гбит/Мбайт на чип Рабочие частоты, GHz Вольтаж VDD (device operation) = VDDQ (I/O interface), V
H5GQ4H24AJR 4/512 7-8 1.55/1.35
4/512 7-8 1.35/1.5 (1.55)
4/512 6-7 1.35/1.5
4/512 4 1.5/1.5
4/512 5

SK Hynix представила микросхемы памяти DDR4 объёмом 16 Гбит

Они построены на одном кристалле, и также они позволят создавать 256-Гбайт модули памяти.

Недавно компания SK Hynix добавила в свой каталог продуктов новые микросхемы памяти DDR4 объёмом 16 Гбит, построенные на одиночных кристаллах.

Преимуществом таких микросхем является не только то, что они позволят создавать модули памяти большой ёмкости, используя меньшее число чипов, но также они позволят партнёрам SK Hynix создавать модули памяти DDR4 объёмом 256 Гбайт для серверных систем, сообщает AnandTech.

На самом деле 16 Гбит чипы DRAM как таковые не являются прорывом.

Производители памяти, в том числе SK Hynix, уже создают ёмкие чипы памяти, размещая два или четыре 8-Гбит кристалла друг над другом, используя технологию TSV для получения микросхем объёмом 16 и 32 Гбит, что позволяет создавать модули памяти на 64 и 128 Гбайт.

Правда, такой подход делает организацию DIMM очень сложной: в результате 64-Гбайт модули получаются четырёхранговыми (по два физических и логических ранга), тогда как модуль 128 Гбайт и вовсе получаются восьмиранговыми (два физических и четыре логических).

В результате, модули LRDIMM, которые и так имеют относительно высокую латентность, потому что они используют дополнительные буферы, из-за такой компоновки получают задержки до CL20 и CL22 для DDR4-2400 и DDR4-2666, соответственно.

А вот новые микросхемы SK Hynix включают только один 16-Гбит кристалл DDR4.

Такие микросхемы позволяют производителям создавать модули или подсистемы памяти, используя меньшее количество микросхем, тем самым снижая энергопотребление, а также открывают возможности для создания серверных DIMM ёмкостью до 256 Гбайт.

Кроме того, для серверов 16 Гбит кристаллы DDR4 позволят создавать двухранговые 64-Гбайт модули, четырехранговые 128 Гбайт LRDIMM и восьмиранговые 256 Гбайт LRDIMM.

Несомненно, 128 и 256 ГБбйт модули памяти будут стоить отнюдь не дёшево. Например, Crucial продаёт свои одиночные модули 128-Гбайт DDR4-LRDIMM по $4000 в розницу, поэтому модуль вдвое большего объёма будет стоить куда выше.

Новые 16-Гбит микросхемы DDR4 от SK Hynix организованы как 1Gx16 и 2Gx8 и поставляются в упаковках FBGA96 и FBGA78, соответственно.

В настоящее время доступны 16-Гбит микросхемы с поддержкой режимов DDR4-2133 CL15 и DDR4-2400 CL17 при напряжении 1,2 В. В третьем квартале текущего года SK Hynix планирует добавить DDR4-2666 CL19 в линейку.

SK Hynix не раскрывает, какой именно технологический процесс она использует для изготовления новых чипов памяти.

Читайте также:  Тормозные колодки для ваз 2107, 2109, 2110, 2114 - какие лучше выбрать, отзывы

SK Hynix создает 16-ГБ модуль NVDIMM с самой высокой плотностью

анонсы и реклама

Почти в два раза упала цена 3090 — cмотри

Новая топовая 48Gb Nvidia

6800XT — цена упала почти ВДВОЕ

3070Ti MSI подешевела на порядок

RTX 3060 Ti от 50 тр

3080 Ti Gigabyte Gaming за 100тр

3080 дешевле 100 тр — скидка 20%

-120000р на RTX 3090 в Ситилинке

3060 Ti Gigabyte Gaming за 50тр

3 вида RTX 3070 Ti дешевле 70 тр

3090 !! Ti за 160тр в XPERT.RU

3070 Ti Asus Gaming — 70 тр

RTX Ti 3070 за 68тр Gigabyte Gaming

В конце добавим, что не только серверному сегменту будут нужны чипы DDR4 на 16 Гбит. Такие микросхемы позволят разработчикам модулей SO-DIMM создавать одноранговые 16-Гбайт модули DDR4 SO-DIMM.

Кроме того, новые микросхемы SK Hynix позволят создателям тонких ноутбуков, в которых память распаивается сразу на материнскую плату, использовать всего восемь чипов для набора 16 Гбайт памяти, потому как сейчас в большинстве тонких ноутбуков предлагается лишь 8 Гбайт, и лишь в старших комплектациях больше.

Гайд по выбору оперативной памяти DDR4 в 2022 году

DDR4 пришла на домашние компьютеры 7 лет назад и с тех пор получила несколько крупных фейслифтов — все три крупных производителя модулей памяти: Samsung, Hynix и Micron до самого конца обновляли дизайн модулей памяти.

На сегодняшний день рынок завален модулями памяти DDR4 всех цветов и характеристик, отчего сделать правильный выбор совсем непросто.

В этом материале мы поможем разобраться в чем основные отличия между разными DDR4, на что обращать внимание при покупке и какой производительности ждать. 

Термин Rank относится к количеству групп чипов памяти на плате. Single Rank имеет одну группу чипов, Dual Rank — две группы.

Хотя контроллер памяти CPU может одновременно общаться только с одной группой чипов, преимущество Dual Rank лежит в возможности обновлять банки памяти на неиспользуемом чипе.

На “игровой” и мейнстримовой десктопной памяти с рангами все просто — Single Rank модули содержат чипы только на одной стороне платы, Dual Rank модули содержат чипы на обеих сторонах платы. Практически все 8 Гб модули памяти будут Single Rank, а 16 Гб и 32 Гб будут Dual Rank. 

Основное преимущество Dual Rank памяти — увеличенный объем на одну планку. Так как современные процессоры имеют всего два канала памяти, а дизайн большинства материнских плат рассчитан на использование двух планок памяти одновременно, 2 планки Dual Rank памяти будут работать стабильнее и быстрее, нежели 4 планки Single Rank памяти. 

На одинаковой частоте и таймингах Dual Rank в среднем на 5-7% быстрее Single Rank памяти в играх, однако Single Rank память позволяет сильнее ее разогнать, получив преимущество в производительности.

Грубо говоря, память примерно одного качества, работающая на одинаковой частоте в случае Dual Rank будет иметь более высокую пропускную способность, но худшие тайминги и задержки, нежели Single Rank память.

 

Плюсы Dual Rank памяти (комплекты 32Гб из 2 планок):

  • Больший объем памяти
  • Выше пропускная способность
  • На 5-7% выше игровая производительность при идентичных характеристиках
  • Запас на будущее по объему

Минусы Dual Rank памяти:

  • Выше цена
  • Разгонный потенциал ниже

Плюсы Single Rank памяти (комплекты 16Гб из 2 планок):

  • Широкий выбор моделей с разными характеристиками
  • Ниже цена
  • Ниже задержки памяти
  • Разгонный потенциал выше

Минусы Single Rank памяти:

  • 16 Гб может быть недостаточно для домашней системы в ближайшем будущем
  • Апгрейд до 32 Гб из 4 модулей нанесет удар по производительности
  • Ниже игровая производительность при одинаковых настройках

В 2022 году я рекомендую думать о покупке только Dual Rank памяти комплектом 32 Гб из двух планок по следующим причинам:

  • Windows, браузеры, дискорды, торренты и прочие бэкграунд-программы потребляют все больше и больше оперативной памяти. Если на сегодняшний день 16 Гб еще достаточно для комфортной жизни, тенденция показывает, что через 1-2 года 16 Гб будет мало.
  • Использование четырех модулей памяти серьезно ограничивает разгонный потенциал ввиду особенностей дизайна материнских плат. Велики шансы, что докупив пару модулей памяти вы серьезно потеряете в производительности. 
  • На рынке представлено много доступных комплектов Dual Rank памяти с оптимальными рабочими характеристиками за адекватную цену. 
  • Современные процессоры оптимальнее всего работают с оперативной памятью с частотой 3600-4200 МТ/с, а значит гнаться за высокочастотной и сверхбыстрой оперативной памятью смысла мало.

Следует понимать, что производством самих чипов памяти занимаются три компании: Hynix, Samsung и Micron, а модули оперативной памяти делать может кто захочет.

Некоторые производители покупают готовую оперативную память у производителей чипов и просто устанавливают свои радиаторы, а некоторые сами занимаются дизайном и производством платы, на которую устанавливаются модули памяти.

И малоизвестная компания, и крупная компания могут использовать абсолютно идентичные модули памяти с идентичной производительностью.

Что гарантирует имя бренда? Во-первых, использование более быстрых и качественных чипов памяти. Покупая комплект от G.Skill, Kingston, Thermaltake, Corsair или Crucial за 10000 рублей можно быть уверенным, что любой комплект из их модельного ряда будет соответствовать своей стоимости.

Известные бренды со сформировавшейся репутацией закупают более качественные модули памяти и производят более дорогие, но и более быстрые комплекты оперативной памяти.

Когда с менее известными производителями стоит быть начеку: смотреть на подробные характеристики и гуглить название модели — высока вероятность, что конкуренцию они составляют за счет использования более дешевых и менее производительных модулей памяти.

Старая подсказка с делением частоты памяти на CAS Latency в 2022 году не работает — современные игры, как мы выяснили, очень любят высокую пропускную способность памяти, а значит ориентироваться стоит на покупку памяти с частотой 3600 МГц и выше.

Перед шоппингом, однако, уточните, какую память поддерживает ваш процессор и материнская плата.

Процессоры AMD Ryzen поколений 3000 и 5000, а также процессоры Intel с приставкой K на Z-чипсете 9, 10, 11 и 12-го поколений без проблем справятся с памятью с частотой 3600 МТ/с в оптимальном режиме работы, а более старые процессоры AMD Ryzen 1000 и 2000, а также процессоры Intel без буквы К в названии ограничены более низкой частотой.

Чтобы понять, поддерживает ли ваша система высокоскоростную память, следует проконсультироваться с QVL-листом совместимости памяти с вашей моделью материнской платы.

Оперативная память с частотой выше 4000 МТ/с далеко не всегда будет быстрее памяти с частотой 3600 МТ/с — контроллер памяти CPU играет немаловажную роль.

Так называемая “сладкая середина”, когда контроллер памяти работает 1:1 с частотой памяти находится на отметке 3600-3866 МТ/с для процессоров Ryzen 3000 и 5000, 3600-4000 МТ/с для процессоров Intel Core 10-го поколения, 3600-3733 МТ/с для процессоров Intel Core 11-го поколения, 3600-4200 МТ/с для процессоров Intel Core 12-го поколения.

Далеко не каждый процессор будет работать на максимальной частоте — тут работает силиконовая лотерея: у соседа процессор может брать частоту 4000 МТ/с, а у вас только 3000 МТ/с, посему для жизни без хлопот стоит выбирать оперативную памяти с частотой 3600 МТ/с.

Второй момент — вышеупомянутая CAS Latency, именно этот показатель поможет определить с чем мы имеем дело. Но перед этим стоит поговорить о различиях между чипами памяти.

У каждого производителя присутствует множество ревизий чипов разных поколений, разного качества и сделанные на разных производственных линиях. Так как мы выбираем память для игр в первую очередь, обращать внимание будем только на скоростные современные модули. 

Тест DDR5: 2×8 vs 1×16 vs 4×8 vs 2×16 на Intel Alder Lake

Недавно мы рассмотрели значимость разных конфигураций DDR4 на 12 поколении процессоров intel. Сегодня же затронем другой аспект памяти и уже на DDR5.

Первое, что необходимо узнать, раз у нас двухканал в одном модуле, то большая ли разница с четырёхканалом в двух модулях? И второй аспект не менее важный: стоит ли рассматривать 8-гигабайтные модули.

И речь идёт не о достаточности 16 ГБ ОЗУ, а о количестве чипов в самом модуле. 

В чём соль? Все мы привыкли видеть на 8-гигабайтных модулях DDR4 8 чипов по Гигабайту каждый. Но бывают и модули с четырьмя 2 ГБ чипами. И они знатно хуже.

Например, в Аиде пропускная способность таких модулей отличается примерно на 10%.

А если зайти в Киберпанк, то с полноценными модулями FPS выше на 17%. 

Простыми словами: чем больше чипов памяти, тем лучше. Пока ячейки в одном чипе перезаряжаются, отрабатывает другой. Вспомните ту же двуранговую память, где схожим образом чередуются ранги. Соответственно, надо бы разобраться и с этим аспектом на DDR5. Поэтому сравним 4 конфигурации: 2 модуля по 8 ГБ, 4 по 8, 1 на 16 и 2 по 16.

Тестовый стенд

Так как модули по 8 ГБ не имеют собственного XMP, в стоке будет использоваться JEDEC.

Интересный момент: покупались все 4 модуля по отдельности, и у двух из них в SPD указаны чипы Samsung, а у двух других — чипы Hynix.

При этом если взглянуть на сами чипы, то везде видны лишь Samsung, что в очередной раз подтверждает нецелесообразность определения не только ревизии, но и производителя чипов программным методом.

2 модуля по 16 ГБ от TeamGroup, предположительно на чипах Hynix, тоже будут использоваться в JEDEC с теми же таймингами, дабы не вводить путаницу. О разгоне поговорим во второй половине обзора.

  • Видеокарта: Palit GeForce RTX 3080 Ti GameRock OC
  • Процессор: Intel Core i7-12700K
  • Материнская плата: ASUS ROG Maximus Z690 Hero
  • Оперативная память #1: Patriot Signature LinePSD58G480041 4×8 ГБ
  • Оперативная память #2: T-Force Delta RGB FF3D532G6200HC38ADC01 2×16 ГБ
  • Система охлаждения: ARCTIC Liquid Freezer II-360
  • Накопитель #1: Crucial MX500 2 TB
  • Накопитель #2: ADATA XPG Gammix S50 Lite 1 TB
  • Корпус: Open Stand
  • Операционная система: Windows 11
Читайте также:  Японские исследователи разработали SSD величиной с почтовую марку и емкостью 1 Тб

Итак. Удобная вещь — JEDEC. В отличии от XMP, вам даже в BIOS заходить не нужно, чтобы он заработал; однако для 4 модулей применяется уже другой профиль. Не 4800 МГц CL40, а 4000 МГц CL36. И это не могло не сказаться как на пропускной способности памяти, так и на латентности.

4 модуля пробили уровень 100 нс, которого мы уже давненько не видели. Пары модулей разных объёмов демонстрируют те самые последствия использования меньшего количества чипов в модуле. 16-гигабайтные модули по всем показателям впереди.

Один же модуль на 16 ГБ имеет схожую латентность с двумя, но пропускная способность у него ниже почти в 2 раза.

Для GeekBench 5 2 и 4 модуля по 8 ГБ оказались равными, несмотря на столь различные JEDEC’и. 2 модуля по 16 ГБ опережают их на 7% и на 23% оказываются быстрее, чем один модуль.

Для Premiere Pro пропускная способность памяти невероятно важна, поэтому двухканал тут в аутсайдерах, а 4 модуля с низкочастотным JEDEC немного позади.

Синтетика была на разогреве, основное сравнение проведём в играх.

Тесты в играх

Call of Duty: Warzone. Настройки киберспорт, тесты многократно повторялись и усреднялись, а запись велась картой захвата со второго компьютера. Ситуация близка к оной в GeekBench.

4 модуля по 8 ГБ компенсируют количеством чипов более слабый JEDEC. Другой 32 ГБ комплект впереди на 4%, что явно снижает наше беспокойство. Даже 1 модуль не так сильно позади.

Это заметные 15%, но с таким FPS в целом, без мониторинга, да ещё и c упором в ГП выходит не критично.

CyberPunk 2077. Пресет графики — трассировка лучей ультра, RT-отражения отключены, DLSS — ультра производительность, плотность толпы высокая.

Эта игра любит пропускную способность памяти куда больше и в этом плане она близка к Premiere Pro. 4 модуля по 8 ГБ оказываются позади двух.

32 Гигабайта двумя модулями впереди ещё на 10%, а по сравнению с одним двухканальным модулем они дают на 29% больше FPS. Эта разница в 2 раза больше, чем в Варзоне.

Тень Лары, наивысший пресет графики, модификатор разрешения — 20%. В расхитительнице гробниц снова наблюдаем не такую уж и большую разницу. Пары модулей разных объёмов отличаются на 6%, четырёхканал по сравнению с двухканалом быстрее на 17%, а 2 и 4 модуля одинакового объёма, но с разными частотами и таймингами едва отличимы. По среднему FPS можно наскрести всего 3%.

StarCraft II, все настройки на максимум. Вот кому всё равно на пропускную способность памяти, так это старым играм.

Один модуль спокойно обеспечивает необходимую скорость, а остальное уже зависит от задержек. И что забавно, в одном 16 ГБ модуле они ниже, чем в двух 8 ГБ, а соответственно, и FPS выше.

Четырёхканал же дал смешной 2% прирост по среднему FPS. Да и в целом все варианты памяти плюс-минус близки.

Total War Saga: Troy, ультра пресет, трава и отряды — экстрим, разрешение и сглаживание на минимум. Полностью противоположная предыдущей стратегии Троя приводит к полностью иным результатам.

Четырёхканальный режим памяти увеличивает FPS по сравнению с двухканальным не на 2%, а в полтора раза. Даже большее количество чипов в рамках двух модулей даёт 10% прирост по среднему FPS.

Но что осталось неизменным, так это мизерная разница между 2 и 4-мя модулями по 8 ГБ вопреки приличной разнице в частоте.

В среднем по палате получается, что приобретение двух модулей DDR5 по 8 ГБ не приводит к большим потерям производительности из-за меньшего количества чипов, как это было с DDR4.

Выходит около 7%, и лучше уж взять их, нежели один модуль на 16 ГБ, если ваша цель — получить как можно больше FPS здесь и сейчас.

Естественно, покупка DDR5 в таком виде несёт мало смысла. Это мы рассмотрели обзоре i3-12100, где DDR5 на частоте 4800 МГц зачастую проигрывала DDR4 на частоте 3200 МГц, поэтому давайте рассмотрим разгон.

Тесты в разгоне

Итак, для всех конфигураций, кроме 4 по 8, будет использоваться один и тот же разгон — опять же, чтобы избежать путаницы. Вышло 5800 МГц с первым таймингом 30. Это куда лучше, чем то, что было бы у нас на микронах в своё время.

Разгон 4 модулей DDR5 на данный момент является отдельным видом удовольствия, требующим свой собственный костюм. Начнём с того, что после 4400 МГц каждый шаг частоты требует несоизмеримого увеличения первичных таймингов, а закончим тем, что высокое VDD напряжение, позволяющее их сократить, приводит к нестабильности. Поэтому вышло 4400 МГц с первым таймингом 26.

Синтетические тесты

Теперь, когда все тайминги настроены идентично, задержка вышла такой же. Хотя и в JEDEC у нас всё было одинаково. Отрыв по пропускной способности тоже сократился между парами модулей разного объёма.

Однако один модуль по-прежнему почти в два раза отстаёт.

Скромный разгон 4 модулей по 8 ГБ, над которым посмеётся множество модулей DDR4, уступает на 10 нс по латентности, да и пропускная способность на четверть ниже.

Благодаря настройке таймингов, да и в целом более высокой частоте, время перезарядки ячеек в модулях памяти сократилось, поэтому большее их количество даёт меньше прироста. Если раньше между двумя модулями разного объёма была 7% разница в GeekBench, то теперь она сократилась до 3%.

В Премьере тоже вместо 13% получаем всего 4% отрыв между 2-мя модулями по 8 ГБ и 2-мя по 16. А скудный разгон 4 модулей привёл лишь к большему отставанию от двух.

Тесты в играх

Возвращаемся в Warzone и видим, что между крайними комплектами памяти разницы нет. Один модуль отстаёт от них на 12%, а 4 по 8 находятся где-то посередине в плане производительности.

В Киберпанке также разницы между парами модулей разного объёма практически нет.

4 модуля, имеющие частоту на целый гигагерц ниже сокращают количество подготавливаемых кадров процессором на 8%, а вот четырёхканал по сравнению с двухканалом быстрее на 20%.

К счастью или к сожалению, в таких, да и в большинстве других игр упор в видеокарту и отсутствие мониторинга не позволит почувствовать разницу.

В Ларе объёмный L3 кэш отчасти компенсирует медленную память, позволяя совершать меньше обращений к ней. В связи с этим четырёхканальный режим даёт всего 11% преимущество над двухканальным, а слабый разгон 4 модулей приводит к потере только 6% по среднему FPS.

В Старкрафте разница между разноканальными конфигурациями осталась на прежнем уровне в районе 2%. Остальные же результаты стали ещё ближе друг к другу. Как и в предыдущих играх, 2 разогнанных модуля по 8 ГБ имеют почти идентичную производительность тому же количеству 16 ГБ модулей. А более высокая латентность 4 модулей влечёт к уменьшению FPS на 4%.

Интересный результат вышел в Трое. Если в стоке четырёхканал имел 51% доминирование над двухканалом, то теперь разница сократилась до 33%.

То бишь, выглядит так, что есть некий порог, после которого прирост от разгона даёт куда меньшее увеличение фпс.

Если один 16 ГБ модуль от разгона получил 28% прирост и он всё равно отстаёт от двух модулей в JEDEC, то они от такой же настройки получили всего 12% прирост.

В среднем выходит, что если вам хватает 16 ГБ суммарного объёма ОЗУ, то у двух модулей с разгоном производительность выйдет практически той же, что и у 32 ГБ с тем же количеством модулей. По идее то же самое можно будет применить, если в будущем появится память с 4-мя 4 ГБ чипами.

В свою очередь, приобретать один модуль стоит, только чтобы потом не мучиться с разгоном четырёх, но нужно учитывать, что если в будущем второй модуль попадётся на чипах другого производителя или другой ревизии, то разгон может быть проблематичным.

Температурные замеры DDR5

Бонусом будут температурные замеры DDR5 без каких-либо искусственных воздушных потоков. Только конвекция.

Начинаем с двух модулей без радиаторов в JEDEC. Один из них разогрелся, судя по внутреннему датчику, до 50°C за 15 минут стресс-теста TM5. Что же покажет тепловизор? 54°C. Выше, но не сильно. Идём дальше.

С максимальным для такой памяти напряжением 1.435 Вольта в биосе выходит вполне приемлемая температура — почти 62°C. Правда, без обдува наш разгон стал нестабильным и через 2 минуты скатился в BSOD. Вот только если взглянуть через тепловизор, то можно вздрогнуть от неожиданности. 85°C — уже не шутки. Это вполне рабочая температура для чипов, но внутри поди ещё горячее.

А что там у модулей с радиаторами? Несмотря на его наличие, в два раза большее число чипов сделали своё дело: разогрев модуль выше, чем это было на неприкрытых модулях с тем же JEDEC. Насколько разнится температура чипа и радиатора сложно сказать, но без обдува разница должна быть небольшой.

При использовании XMP температура радиатора достигла почти 70°C, вызвав ошибки. Вот это поворот…

В разгоне же имеем 68°C на датчике и 74 на радиаторе.

С виду лучше, чем это было на четырёх неприкрытых радиатором чипах, но, опять же, нам неизвестна дельта температур между радиатором, корпусом чипа и его внутренней части. Поэтому сквозняк в корпусе очень желателен при разгоне.

И не стоит проводить параллели с процессором, мол “Это в стресс тесте горячо, в играх меньше будет”. Не будет. Мало того, что современные игры будут неустанно гонять данные через вашу ОЗУ, так ещё и видеокарта подкинет ей горячего воздуха. Поэтому либо колхоз, либо хорошо продуваемый корпус.

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector