Гайд по выбору оперативной памяти и список из пяти правильных планок для AMD Ryzen и Intel Core
Игроманияhttps://www.igromania.ru/https://www.igromania.ru/
Сегодняшний материал об оперативной памяти: кратко и без лишней воды пробежимся по основным её характеристикам, расскажем о том, на что может повлиять её неверный выбор, и о том, как этой ошибки избежать. Ну а в конце приведём список моделей, за которые ручаемся головой. Словом, это простой текст для тех, кто хочет быстро разобраться, купить и забыть.
Но и о тех, кому нужен более скрупулёзный и исчерпывающий подход к вопросу оперативки, мы не забыли: большая статья на эту тему уже в работе.
Итак, давайте для начала определимся с тем, какая вообще оперативная память есть на рынке и чем планки могут отличаться друг от друга. Если отбросить в сторону бренды и цены, то обращать внимание имеет смысл на следующие нюансы: производителя самих чипов памяти, наличие или отсутствие у неё XMP и пассивного охлаждения в виде радиатора, на ранговость, на требуемое для работы напряжение и на частоту с таймингами. В этот список можно было бы включить заодно и стандарт памяти (DDR3 или DDR4), но поскольку речь идёт об актуальных на 2021 год компьютерах, то вариант всего один: DDR4. DDR3 уже отжила свой век. Ну что же, все основные характеристики перед нами — подробнее разберём каждую из них. 
При выборе планки можно вообще не обращать внимание на изготовителя той или иной модели оперативной памяти. На этикетке может быть указана, например, HyperX, но эта компания не имеет своих мощностей по производству памяти. Фирма просто закупает чипы, припаивает их к печатной плате, придумывает дизайн и наклеивает сверху свой лейбл.
На что реально нужно смотреть, так это на чипы памяти, которые, как правило, скрыты от любопытных глаз. Скажем, Samsung B-Die (Samsung — производитель, B-Die — компоновка кристалла) — это лучшее, что есть на сегодняшний день. А ешё есть Nania, Spectek и Elpida, которые уже не очень.
Проблема вот в чём: никто из производителей вам, конечно, не скажет, что из перечисленного стоит под красивым радиатором. Чтобы это выяснить, придётся копать форумы или читать отзывы на крупных торговых площадках. Также можно воспользоваться программой Thaiphoon Burner, но это так себе решение, поскольку предполагает то, что память уже у вас на руках.
Тем не менее, вариант вполне рабочий при покупке б/у модулей.
Ещё есть сайт B-Die Finder: с его помощью можно отыскать практически все существующие модули памяти на базе чипов Samsung B-Die. Опытные пользователи, конечно, и по косвенным признакам могут догадаться, что стоит «под капотом» того или иного модуля. Скажем, память с частотой 3200 МГц и CL таймингом 14 — это абсолютно точно Samsung B-Die. А вот два с виду одинаковых модуля с частотой 3600 Мгц и CL 16 могут быть сделаны как Samsung, так и Hynix (Это уже намного лучше, чем Elpida, Spectek и Nania, но все еще не Samsung B-Die или, например, Micron E-Die). 
Xtreme Memory Profile — профиль настроек, которые сохраняются в SPD-модуле оперативной памяти.
Он представляет из себя определённые частоты и тайминги, на которых должен функционировать модуль после успешной активации XMP в BIOS.
И это, кстати, стоит учитывать: покупка модулей с поддержкой XMP ещё не значит, что она сразу же будет работать на заявленных частотах. Без активации профиля память запустится на базовой для DDR4 частоте — 2133 МГц.
Словом, XMP — это заводской разгон памяти, не требующий от пользователя ничего, кроме пары кликов мышкой. Однако есть нюанс, которого стоит опасаться.
XMP — это не всегда гарант стабильности: нередки случаи, когда после активации профиля заводского разгона компьютер попросту не запускается.
В 99,9% случаев эту проблему можно решить, однако это уже требует знаний, поскольку придётся вручную устанавливать все необходимые напряжения, частоты и тайминги. Что делать, если у вас этих знаний нет или вы попросту не хотите этим заниматься? Обращаться к QVL.
QVL, или Qualified Vendors List (квалифицированный список поставщиков) — это список протестированных на конкретной материнской плате модулей оперативной памяти с указанием всех частот, напряжений и таймингов.
Если выбранная вами память есть в QVL интересующей вас материнки, смело приобретайте.
QVL для нужной платы находится легко: заходите на официальную страничку материнской платы, ищете разделы Support или Downloads и там находите что-то вроде Memory Support List.
Тут же ответим на весьма популярный вопрос: «Что делать, если я хочу купить память с XMP 4400 МГц CL 17, она есть в QVL моей материнской платы, но на официальном сайте Intel (или AMD) указана поддержка лишь 2133 МГц?»
Корни этой проблемы кроются в неверной трактовке спецификаций процессоров. Те 2133 МГц, что вы видите, — всего лишь на 100% гарантированная частота модулей оперативной памяти, с которыми ваш процессор запустится обязательно. Это вовсе не означает, что встроенный в ЦП контроллер памяти не в состоянии работать с более высокими частотами.
У Intel все процессоры Core, начиная с 6-го и заканчивая 10-м поколением, способны работать с комплектами оперативки, частоты которых лежат далеко за пределами 4 ГГц. В 11-м поколении (из-за изменений по части контроллера) поддерживаемые частоты существенно снизились, но это всё ещё внушительные 3733-3800 МГц.
Примерно тот же предел и у современных процессоров AMD Ryzen, но в крайне редких случаях он может достигать 4000 МГц.
Нужна ли модулям памяти система пассивного охлаждения? И да, и нет. Всё зависит от нескольких факторов.
Если речь идёт о низкочастотной оперативке (в пределах от DDR4-2133 МГц до DDR4-3000 МГц) с низким напряжением до 1,35 В, то никакой радиатор не потребуется.
А вот если вы планируете эту память разгонять или речь идёт об изначально высокочастотных модулях, работающих на напряжениях от 1,35 В, то радиатор и его обдув холодным воздухом строго необходимы. Без этих условий работать память, конечно, будет, но нестабильно.
Синие экраны (BSOD), внезапные перезагрузки и вылеты приложений на рабочий стол — вот к чему ведёт её перегрев.
Память в основном бывает одноранговой и двухранговой (крайне редко встречается память с четырьмя рангами). В Сети ходит миф о том, что двухранговая память работает якобы быстрее, чем одноранговая (на одинаковых частотах), однако это не совсем так. Всё дело во второстепенных таймингах. Но мы сейчас не будем углубляться в теорию того, что они из себя представляют.
Главное, что нужно понять: если вы не планируете вручную настраивать оперативку, лучше выбирать два ранга (как правило, это модули, у которых чипы памяти распаяны с двух сторон печатной платы, но бывают и исключения).
Если же вы можете вручную выставить агрессивные второстепенные тайминги, то никакой разницы между одноранговой и двухранговой памятью не будет (или же разница составит 0,5-1%).
Куда важнее обращать внимание на канальность памяти. Никогда не покупайте в пару к современному процессору один модуль оперативки: так вы вынудите ЦП работать с памятью в одноканальном режиме, и это существенно снизит общую производительность вашего ПК. Всегда берите два модуля. Но можно ли ставить больше: например, четыре или восемь?
Да, можно. Однако следует понимать, что процессор, рассчитанный на работу с двумя каналами памяти (Dual Channel), не будет работать в четырёхканальном режиме, даже если вы установите четыре модуля. Для активации четырёхканального режима (Quad Channel) необходим ЦП, поддерживающий его.
Как правило, такие процессоры принадлежат к высшей (HEDT) ценовой категории либо к серверным решениям (десктопные Intel Core X и серверные Xeon от Intel, а так же Ryzen Threadripper наряду с серверными EPYC у AMD).
То, со сколькими каналами памяти может работать непосредственно ваш процессор, уточняйте в официальных спецификациях изготовителя.
О том, что, такое частоты и тайминги, мы в подробностях расскажем в отдельном материале, о котором упоминали в начале этой статьи. Сейчас же обойдёмся общими положениями.
Итак, за правило можно взять одно: чем выше частота оперативки и чем ниже её тайминги, тем лучше. Например, если вы видите перед собой два комплекта памяти, один на 3200 МГц с таймингами 14-14-14-14-34 и второй на 3600 МГц с такими же таймингами, выбирать всегда следует второй.
Однако такие высокоскоростные решения, как правило, не слишком привлекают своими ценами, и в реальной жизни приходится идти на компромиссы. Тогда наши рекомендации таковы: выбирайте комплекты на 3000 МГц с CL таймингом 15 и комплекты на 3200 МГц с CL таймингом 16.
Это не самое быстрое решение, что можно найти на рынке, но далеко и не самое медленное — некий оптимум, идеально подходящий для любого современного процессора.
Да, с такой памятью вы не выжмете из своего ЦП всех соков в плане производительности (а именно он и выигрывает от роста эффективности работы памяти), но и много не потеряете. Причём последнее касается не только производительности, но и денег.
Но ни в коем случае не покупайте в пару к современным процессорам память с частотой от 2133 до 2666 МГц, если хотите получить от них достойную производительность. Сегодняшние ЦП эффективны и упираются не столько в вычислительную мощность своих ядер, сколько в подсистему памяти.
Именно по этой причине следующие поколения процессоров от Intel и AMD работать будут уже с DDR5.
Ну а такая низкочастотная память, как в примерах выше, просто замедлит работу вашего ЦП до неприличия — она годится только для установки в ПК, предназначенные для решения лёгких офисных задач.
Итак, какую оперативную память советуем мы сами? Разумеется, любая память, какую бы вы ни купили, будет нормально работать в вашей системе.
Другое дело — разгонный потенциал модулей: качественные чипы охотно реагируют на повышение напряжения и позволяют наращивать частоту, сохраняя низкие задержки (тайминги).
В отдельных случаях (если память попалась отборная) вполне реален рост частот с попутным уменьшением таймингов.
Так вот: выбирать заведомо медленную память, которая практически никак не разгоняется, не стоит.
Даже если вы не хотите настраивать память сразу после покупки, всё равно лучше выбрать модель с хорошим потенциалом, чтобы к моменту появления у вас такого желания результат не заставил себя ждать.
В связи с этим мы не советуем выбирать модули, собранные на базе чипов от Hynix, Nania, Elpida и Spectek. Если первые (Hynix) ещё худо-бедно разгоняются, хоть и с неизбежным и чаще всего значительным повышением таймингов, то чипы от остальных производителей попросту ужасны.
Что же тогда выбрать? Память с чипами производства Samsung (выпускается как и самой Samsung, так и целым рядом сторонних производителей) и Micron (выпускается компанией Crucial и сторонними вендорами). Особенно интересен второй вариант, поскольку чипы Micron умеют 80% от того, что умеют B-Die, но при этом обходятся куда дешевле. Ну и вот краткий список того, что мы готовы рекомендовать: 
- Samsung 4 ГБ DDR4, 2666 МГц CL19, M378A5244CB0-CTD (4000 рублей за комплект 2х 4 ГБ). Бюджетная память с неприглядным зелёным текстолитом без радиаторов. Дешёвая, но неплохо разгоняется. Берёт 3200 МГц CL 16 при напряжении 1,4 В.
- 8 ГБ DDR4 3200 CL16 Crucial Ballistix BL2K8G32C16U4B (8000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Недорогой вариант от Crucial на базе их фирменных чипов Micron E-Die. Шикарная память, которая, повторимся, может 80% того, что умеют чипы Samsung B-Die. Разница только в том, насколько сильно можно зажать tRCDRD, tRC и tRFC. Как правило, спокойно покоряет 3600 МГц CL 14 при напряжении 1,45 В.
- 8ГБ DDR4 3000 CL15 Crucial Ballistix BL2K8G30C15U4B (7500 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Абсолютно такая же память с таким же разгонным потенциалом, но чуть дешевле и с чуть более медленным XMP.
8ГБ DDR4 Patriot Memory VIPER 4 BLACKOUT 4000MHz CL19 PVB416G400C9K(10000 рублей за комплект 2х 8 ГБ). Память на базе чипов Samsung B-Die, но низкого биннинга (биннинг — процесс, при котором завод-изготовитель сортирует выпущенные чипы памяти по качеству: выше качество — выше потенциал). Гарантированный результат — 4000 МГц CL 17.
G.Skill Trident Z RGB 3200 МГц CL 14 (16000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)
G.Skill Ripjaws V 3200 МГц CL 14 (14000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).
G.Skill Flare X 3200 МГц CL 14 (13000 рублей за комплект 2х 8 ГБ).
G.Skill Trident Z Neo 3600 МГц CL 14 (19000 рублей за комплект 2х 8 ГБ)
Все эти G.Skill — комплекты, собранные на одних и тех же чипах Samsung B-Die, но уже высокого биннинга (самые отборные чипы, как правило, попадают в модули G.Skill Trident Z Neo). Все предложенные модули — рекордсмены разгона, спокойно работающие при напряжениях до 1,6 В. Гарантированно берут 3600 МГц CL14, 3733 МГц CL 14, 3800 МГц CL 15, 4000 МГц CL 16 и выше. Если повезёт с экземпляром (высочайший биннинг), можно даже рассчитывать на что-то вроде 4000 МГц CL 14. Кроме того, любой из предложенных выше комплектов позволит зажать абсолютно все второстепенные тайминги до минимума.
Важный момент, на который стоит обращать внимание при активации XMP абсолютно любой оперативной памяти.
Почти все материнские платы (неважно, Intel у вас или AMD) при активации профиля заводского разгона завышают требуемое напряжение на встроенный в процессор контроллер памяти. В некоторых случаях такое завышение приводит к выводу контроллера памяти из строя.
Чтобы избежать этого, следует зайти в BIOS вашей материнки (обычно это осуществляется за счёт нажатия клавиш Del или F2 во время старта компьютера) и вручную выставить следующие параметры:
- Для процессоров Intel с 6-го по 10-е поколение:
- VCCIO — 1,15 – 1,25 В
- VCCSA — 1,15 – 1,35 В
- Для процессоров AMD Ryzen:
Будьте внимательны, выбирайте хорошую и быструю память. Удачи в покорении высоких частот и новых вершин производительности — и до встречи на Игромании!
Silicon Power представляет новый модуль памяти DDR4-2133 U-DIMM
7 ноября 2014 года, Тайбей — Мировой лидер в производстве продуктов цифровой памяти, компания Silicon Power, представляет новейший модуль памяти DDR4-2133 U-DIMM, являющийся очередным шагом навстречу новому поколению продуктов DRAM. Модуль DDR4 подходит для использования в настольных ПК, поддерживает работу современных процессоров от Intel® серии Haswell-E и предлагает отличную стабильность и высокую скорость операций, существенно увеличивая функциональность ПК и давая пользователю совершенно новый уровень сверхскоростного комфорта в работе со своим устройством.
Революция в производительности модулей памяти с наступлением эпохи DDR4
Индустрия модулей памяти поколения DDR4 находится в непрерывном развитии, прекрасно отражая постоянно растущие запросы пользователей к расширению границ функциональности своих ПК.
Компания Silicon Power находится на самом переднем крае этой эволюции рынка, представив новый модуль памяти DDR4-2133 Unbuffered DIMM, отличающийся высокоскоростной производительностью и сниженным потреблением электроэнергии.
В сочетании с новейшим процессором серии Haswell-E и поддержкой материнских плат на базе чипсета X99, позволяющих использование четырех каналов, модуль памяти DDR4 от компании Silicon Power доступен в вариантах вместимости 4 ГБ и 8 ГБ и предлагает максимальное усовершенствование емкости вашего компьютера до 64 ГБ.
Модуль памяти DDR4 превосходит устройства категории DDR3-1600 частотой 2133 МГц и мощной пропускной способностью передачи данных 17 ГБ/с, дающей усовершенствование скоростных характеристик передачи данных на 33%, что позволит любителям компьютерных развлечений, профессионалам, работающим с мультимедийными файлами и всем тем, кто увлекается самостоятельным сбором компьютеров наслаждаться максимальными скоростями работы с совершенно новым уровнем комфорта.
Низкое требуемое напряжение 12В для более эффективного энергосбережения
В дополнение к повышенной функциональности, модуль памяти DDR4 от компании Silicon Power отличается также и сниженным до 1.2 В расходом напряжения, что на 20% ниже DDR3, требующего 1.
5 В, позволяя снизить электронагрузку и выделение тепла при работе.
Меньший нагрев компонентов системы позволяет повысить стабильность работы модуля и продлить жизненный цикл вашего устройства, доводя эффект экологичного энергосбережения до максимума.
Модули памяти DDR4-2133 U-DIMM от компании Silicon Power выгодно отличаются от аналогов прекрасной производительностью, стабильностью в работе, низким расходом электричества и широким ассортиментом доступных комбинаций: одноканальный набор с емкостью 4 ГБ и 8 ГБ, двухканальный набор с емкостью 8 ГБ (4 ГБ*2) и 16 ГБ (8 ГБ*2) и четырехканальный набор с емкостью 16 ГБ (4 ГБ*4) и 32 ГБ (8 ГБ*4), которые подарят любителям компьютерного мастерства максимальную свободу выбора. В эпоху нынешних революционных изменений на компьютерном рынке, не пропустите совершенно новую возможность улучшения вашего устройства! Компания Silicon Power тщательно проверяет качество всех модулей DDR4-2133 U-DIMM на производстве и строго тестирует их перед отгрузкой, гарантируя их высочайшую стабильность и совместимость. На продукцию предоставляется пожизненная гарантия для уверенности пользователей в ее высочайшем качестве. Для более подробной информации, заходите на официальный сайт компании Silicon Power www.silicon-power.com.
-
- Особенности продукта: ● Высокая скорость и производительность с пропускной способностью передачи 17 ГБ в секунду ● Низкое требуемое напряжение 1.2 В для повышенной экономии электроэнергии ● Изготовлен с применением отборных компонентов высшего качества и тщательным контролем на производстве ● Прошел тестирование на 100%-ную стабильность и совместимость
- ● Пожизненная гарантия качества
- Спецификации продукта: ● Категория модуля: DDR4 Memory ● Коннектор и вид: 288-Pin UDIMM ● Частота: DDR4-2133 MHz ● Стандарт: Небуферизованный без ECC ● Емкость: Одноканальный 4 ГБ, 8 ГБ Двухканальный 8 ГБ (4 ГБ *2), 16 ГБ (8 ГБ *2) Четырехканальный 16 ГБ (4 ГБ *4), 32 ГБ (8 ГБ *4) ● Чип: 512M*8 (bit) ● Электрическое напряжение: 1.2 В
- ● CAS-латентность: 15
Расшифровка маркировки оперативной памяти
Для правильного выбора оперативной памяти необходимо разбираться в маркировке характеристик и понимать их влияние на быстродействие компьютера. Нельзя опираться только на объём и игнорировать другие важные параметры.
Расшифровка обозначений
Производители оперативной памяти часто используют свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.
4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11
Стандарт планок DIMM, UDIMM и SODIMM
Такими сокращениями обозначают стандарт планок. DIMM это планки для персональных компьютеров, а SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — для ноутбуков — по размеру короче и выше.
Ещё можно встретить следующие обозначения:
- U-DIMM — без буфера;
- R-DIMM — с буфером;
- LR-DIMM — с буфером и пониженным энергопотреблением;
- FB-DIMM — с полной буферизацией.
U-DIMM — разновидность DIMM памяти, используется в 99% домашних ПК. «U» обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок при обращения к ячейкам. Это позволяет ей быстрее работать и дешевле стоить. Для повседневных задач отсутствие защиты не критично. В маркировке часто букву «U» не пишут, оставляя только DIMM.
R-DIMM, LR-DIMM и FB-DIMM — планки для серверов и вычислительных систем, в которых нужна максимальная надёжность работы. Стоят дороже и не рекомендуются для покупки в обычные компьютеры.
Тип памяти: DDR4, DDR3 и DDR3L
Типы памяти отличаются по многим техническим характеристикам. Например, DDR4 работает на более высоких частотах и обладает лучшей энергоэффективностью. Об отличии DDR4 от DDR3 читайте здесь. Отмечу, что типы 3 и 4 поколения несовместимы.
Разница между DDR3 и DDR3L только в энергоэффективности. «L» — это сокращение от «Low». Память с таким маркером потребляет 1.35V, а обычная — 1.5V. Оба типа совместимы и могут использоваться в компьютере вместе. Более низкое энергопотребление не позволит сэкономить на электричестве, но обеспечит памяти чуть меньший нагрев.
Частота работы: 1333, 1600, 1866, 2133 МГц
Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты, на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.
Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.
| Core i3 8й серии | 2400 МГц |
| Core i3 7й серии | 2133/2400 МГц |
| Core i3 6й серии | 2133 МГц |
| Core i3 4й серии | 1600 МГц |
| Core i5 7й серии | 2400 МГц |
| Core i5 6й серии | 2133 МГц |
| Core i5 4й серии | 1600 МГц |
| Core i7 7й серии | 2666 МГц |
| Core i7 6й серии | 2400 МГц |
| Core i7 4й серии | 1600 МГц |
| AMD FX-4ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-6ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-8ххх | 1866 МГц |
| AMD Ryzen 3 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 5 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 7 1й серии | 2933 МГц |
Пиковая скорость передачи данных: PC10600, PC12800, PC19200
Максимальная скорость передачи данных зависит от частоты работы памяти и обозначается префиксом «PC». Далее идёт скорость, измеряемая в МБ/с. Чем больше скорость — тем лучше.
| 2400 МГц | PC19200 |
| 2133 МГц | PC17000 |
| 1866 МГц | PC14900 |
| 1600 МГц | PC12800 |
| 1333 МГц | PC10600 |
Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4», что указывает на конкретный тип памяти — DDR3 или DDR4.
В конце может добавляться буква, обозначающая стандарт планки. Например, «PC4-24000U» или «PC4-24000R».
- U — U-DIMM;
- S — SO-DIMM;
- R — R-DIMM;
- L — LR-DIMM;
- F — FB-DIMM.
Редко встречается «E» — ECC (error-correcting code) — память c коррекцией ошибок.
Тайминг: 8-8-8-24, CL11
Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения — CL11 (CAS Latency 11).
Чем меньше задержки, тем лучше. Но архитектура современных процессоров подразумевает наличие большого кеша и он не часто обращается к оперативной памяти на прямую. Поэтому эти показатели не играют большой роли в быстродействии. Разницу между 8-8-8-24 и 17-17-17-42 практически нельзя заметить.
В маркировке тайминг может обозначаться буквой после частоты. Например, DDR4-2400T или DDR4-2666U.
Обзор и тестирование модулей памяти Silicon Power DDR4-3200 8 ГБ XPower Turbine RGB (2 комплекта по 8 ГБ) / Платформа ПК / iXBT Live
Silicon Power — Тайваньская фирма, получившая признание благодаря производству твердотельных накопителей, жестких дисков, флеш-памяти и оперативной памяти. На обзоре два комплекта оперативной памяти по 8GB Silicon Power DDR4 8Gb 3200MHz XPOWER Turbine RGB.
Характеристики
- Тип памяти: DDR4
- Кол-во планок в комплекте: 1 (2 отдельных комплекта по 8GB)
- Форм-фактор памяти:DIMM
- Объем памяти комплекта: 8 ГБ
- Тактовая частота: 3200 МГц
- Напряжение: 1.35V
- Тайминги: 16-18-18-38
- Тип охлаждения: Пассивное, радиатор
- Подсветка: RGB управляемая
Упаковка и комплектация
Упакована Silicon Power XPOWER Turbine RGB в прямоугольную картонную коробку черного цвета с вырезом для зрительного доступа к блистеру памяти.
С обратной стороны две фразы на нескольких языках:
- Первая — о поддержке стандартов Intel XMP.
- Вторая — об использовании только оригинальных чипов, с полным 100% тестированием всех чипов, а также гарантия совместимости модулей памяти.
Внутри упаковки прозрачный пластиковый блистер, рассчитанный на 2 планки. В варианте с 1 модулем занят только один “этаж” блистера.
Внешний вид
Размер модуля — слегка увеличенный за счет радиаторов размер стандартной памяти DDR4 DIMM 288 pin. Габариты: 133 мм в длину, 7мм в ширину и 38 мм в высоту. Внешний вид сохранил форму и стиль радиаторов XPOWER Turbine. DDR4 Gaming, за исключением изменений цвета с синего «металлик» на «нейтральный серый» с элементами фактурной обработки под царапины.
Сверху радиатор дополнился пластиковым рассеивателем бледно-голубого цвета. Металлическая часть радиатора, закрепленная сверху рассеивателя, дополняет подсветку прорезями в форме волн, уходящих от центра в стороны. Ниже по центру памяти глянцевые наклейки с логотипом серии POWER с черным фоном и разноцветным абстрактным рисунком в виде сот с одной стороны.
На информационной наклейке:
- Предупреждение о потере гарантии при отклеивании
- Штрих код
- Номер модели модуля памяти “SP008GXLZU320BSB”
- Тип памяти, частоты и латентности “DDR4 3200 CL16”
- Объем и серийный номер модуля памяти “8GB 20027030-08”
Подсветка
Перед тестированием расскажу подробнее о подсветке. Как ясно из названия, Silicon Power XPOWER Turbine RGB совместима с системами управления RGB подсветкой. Silicon Power XPOWER Turbine RGB установлена в материнскую плату ASUS с поддержкой подсветки ASUS AURA.
Вариант с отключенной подсветкой.
Многоцветная радуга
Тестирование
Модули памяти Silicon Power XPOWER Turbine RGB тестировались с последним Bios 1.1 на операционной системе Windows 10 без запущенных программ. Анализ утилитой Thaiphoon Burner показал производителя чипов памяти, как Hynix 8Gb 1 die из 8 чипов по 1Gb.
Для мониторинга и подробной информации использовались утилиты:
AIDA64
CPU-Z
Тестирование производилось в программах:
AIDA64 – бенчмарк памяти
Winrar –тест быстродействия
OCCT- Memory test
Вывод
Silicon Power DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz XPOWER Turbine RGB показала себя как производительный вариант модулей памяти по доступной цене с честными таймингами и частотой, независимо от выбранной платформы.
Напомню, для теста использовалась система на базе AMD Ryzen. Внешний вид стал лучше по сравнению с Silicon Power XPOWER Turbine без приставки RGB.
Вместо синего металлического радиатора установлен нейтрально-серый, универсальный для игровых систем с ярким дизайном и для минималистичных монохромных вариантов.
Управляемая подсветка из 10 светодиодов отличается высокой яркостью и равномерным свечением с двух сторон, в отличие от конкурентов, у которых подсветка располагается только с одной стороны. Подсветка памяти поддерживает ARGB режимы по зонам, управляемые с утилит материнских плат. Помимо этого подсветка дополнена волновой накладкой радиатора и пластиковой рассеивающей накладкой.
Производительность соответствует указанным характеристикам с сайта Silicon Power. Указанные профили и тайминги достигаются без сложной настройки, но имеется минус в разгоне. Сложно получить значения, превышающие базовые частоты на 200-400MHz, но это «болезнь» большинства модулей памяти с 2019 года.
Плюсы
- Производительность
- Внешний вид
- Управляемая RGB подсветка
- Холодная
- Гарантия и качество
Минусы
Исследование основных характеристик модулей памяти
Производители оперативной памяти часто используют свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.
4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11
Стандарт планок DIMM, UDIMM и SODIMM
Такими сокращениями обозначают стандарт планок. DIMM это планки для персональных компьютеров, а SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — для ноутбуков — по размеру короче и выше.
Ещё можно встретить следующие обозначения:
Сравнение GTX 750 Ti c GTX 750 — на ступеньку выше
- U-DIMM — без буфера;
- R-DIMM — с буфером;
- LR-DIMM — с буфером и пониженным энергопотреблением;
- FB-DIMM — с полной буферизацией.
U-DIMM — разновидность DIMM памяти, используется в 99% домашних ПК. «U» обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок при обращения к ячейкам. Это позволяет ей быстрее работать и дешевле стоить. Для повседневных задач отсутствие защиты не критично.
В маркировке часто букву «U» не пишут, оставляя только DIMM.
R-DIMM, LR-DIMM и FB-DIMM — планки для серверов и вычислительных систем, в которых нужна максимальная надёжность работы. Стоят дороже и не рекомендуются для покупки в обычные компьютеры.
Тип памяти: DDR4, DDR3 и DDR3L
Типы памяти отличаются по многим техническим характеристикам. Например, DDR4 работает на более высоких частотах и обладает лучшей энергоэффективностью. Об отличии DDR4 от DDR3 читайте здесь. Отмечу, что типы 3 и 4 поколения несовместимы.
Разница между DDR3 и DDR3L только в энергоэффективности. «L» — это сокращение от «Low». Память с таким маркером потребляет 1.35V, а обычная — 1.5V. Оба типа совместимы и могут использоваться в компьютере вместе. Более низкое энергопотребление не позволит сэкономить на электричестве, но обеспечит памяти чуть меньший нагрев.
Частота работы: 1333, 1600, 1866, 2133 МГц
Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты, на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.
Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.
| Серия процессора | Max частота |
| Core i3 | |
| Core i3 8й серии | 2400 МГц |
| Core i3 7й серии | 2133/2400 МГц |
| Core i3 6й серии | 2133 МГц |
| Core i3 4й серии | 1600 МГц |
| Core i5 | |
| Core i5 7й серии | 2400 МГц |
| Core i5 6й серии | 2133 МГц |
| Core i5 4й серии | 1600 МГц |
| Core i7 | |
| Core i7 7й серии | 2666 МГц |
| Core i7 6й серии | 2400 МГц |
| Core i7 4й серии | 1600 МГц |
| AMD FX | |
| AMD FX-4ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-6ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-8ххх | 1866 МГц |
| AMD Ryzen | |
| AMD Ryzen 3 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 5 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 7 1й серии | 2933 МГц |
Пиковая скорость передачи данных: PC10600, PC12800, PC19200
Максимальная скорость передачи данных зависит от частоты работы памяти и обозначается префиксом «PC». Далее идёт скорость, измеряемая в МБ/с. Чем больше скорость — тем лучше.
| Частота | Скорость |
| 2400 МГц | PC19200 |
| 2133 МГц | PC17000 |
| 1866 МГц | PC14900 |
| 1600 МГц | PC12800 |
| 1333 МГц | PC10600 |
Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4», что указывает на конкретный тип памяти — DDR3 или DDR4.
В конце может добавляться буква, обозначающая стандарт планки. Например, «PC4-24000U» или «PC4-24000R».
Редко встречается «E» — ECC (error-correcting code) — память c коррекцией ошибок.
Тайминг: 8-8-8-24, CL11
Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения — CL11 (CAS Latency 11).
Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 4)
- Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта
- Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
- График с результатами разгона:
- Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).
- Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).
Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.
85 В и не зависит от установленных таймингов.
- анонсы и реклама
- RTX 3070 в XPERT.RU по самым низким ценам
- 32″ TV Xiaomi за копейки в Ситилинке
- Compeo.ru — правильный компмагазин
- без подвохов
- Остатки RTX 3060 по лучшим ценам в XPERT.RU
- Обвал цен на семейство Galaxy S20
- — цены РУХНУЛИ (c)
- 4000р скидка на 1Tb SSD в Регарде
- 98″ IPS Samsung за 3 892 400р — смотри что за зверь
- Много RTX 3090 в XPERT.RU
Настройка BIOS на материнских платах Gigabyte
- Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-6-5-15 1T
- Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
- Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
- График с результатами разгона:
- Оптимальные тайминги:
- X-(X+2)-(X+2) на высоких частотах (1866-2400 МГц);
- X-(X+1)-(X+1) на низких частотах (1333-1600 МГц).
Реакция на изменение напряжения:
- С ровными таймингами: отсутствует;
- С оптимальными таймингами:
- От 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
- От 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (10-20 МГц);
- От 1.75 B до 1.80 B: небольшое снижение частоты (10-20 МГц).
Минимальные тайминги для стандартных частот:
- Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 6-7-7-15 1T;
Обзор 8 ГБ комплекта памяти Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21
::>Оперативная память >2011 > IT —
Современные игры, рабочие, да и офисные программы становятся все более требовательными к аппаратному оснащению персональных компьютеров. Не последним условием для нормальной работы таких программных продуктов является наличие достаточного объема оперативной памяти.
Профессиональные программные комплексы и «тяжелые» игры в своей прожорливости уже давно требуют более 4 ГБ ОЗУ и использования операционной системы с полноценной поддержкой 64-битной адресации. По этой причине для высокопроизводительных систем минимальный рекомендуемый объем установленной памяти составляет от 4-8 ГБ.
Такие тенденции развития современных приложений только подтверждают востребованность «ёмких» модулей оперативной памяти объемом 4 и более гигабайт.
Отметим также, что большой объем используемой памяти увеличивает время поиска расположенной в ней информации.
Однако такие задержки можно компенсировать использованием более быстрых микросхем памяти, что позволяет производить модули памяти с меньшими таймингами и более высокими частотами работы.
Посмотрим, как выглядит быстродействие пришедшего к нам от компании Silicon Power Computer & Communications Inc на тестирование комплекта 8 ГБ памяти, который состоит из двух модулей по 4 ГБ.
У нас уже были на тестировании 4 ГБ модули памяти от компании TwinMOS, модели TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333.
В их обзоре было отмечено небольшое падение производительности при использовании простых тестов, по сравнению с аналогичными по скорости двумя модулями памяти по 1 ГБ каждый.
На данное тестирование мы также выбрали недорогой комплект с хорошими рекомендациями по быстродействию Silicon Power SP008GBLTU133V21.
Участвующий в сегодняшнем тестировании комплект из двух модулей памяти Silicon Power SP004GBLTU133V01 DDR3 1333 (CL9) 4G объемом по 4 ГБ относится к бюджетной линейке предложений компании Silicon Power. С виду это самые обычные модули, только помещенные в хорошо оформленную прозрачную упаковку.
На лицевой стороне вложенного внутрь бумажного вкладыша иконками отмечены основные преимущества данного комплекта: суммарный объем 8 ГБ, полная совместимость для работы в двухканальном режиме, а также бесконечная гарантия от производителя на данный продукт. Подчеркнута максимальная универсальность и стабильность работы данных модулей.
Также указано на 100% тестирование этой продукции еще на заводе, что должно вселить уверенность в надежности комплекта.
На обратной стороне упаковки, кроме выше упомянутых особенностей, присутствует небольшая схема вынимания модулей памяти из упаковки, адрес и телефоны производителя, и основные особенности спецификации комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21.
Сами модули памяти выглядят очень стандартно, они выполнены на двухсторонней печатной плате, с каждой стороны которой расположено по 8 микросхем. Отметим лишь относительно малые размеры самих микросхем памяти.
Никаких радиаторов в данном комплекте не предусмотрено, но для бюджетных модулей памяти это вполне оправдано.
Мы оценим, как такой подход влияет на быстродействие и разгонный потенциал используемых здесь микросхем памяти, и проверим возможности комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21 в реальных тестах производительности.
Сам модуль конструктивно выполнен в формате U-DIMM – обычная не буферизированная память для ПК.
На одной из боковых сторон имеется наклейка, которая несет информацию о модели модуля, его объеме в 4 ГБ, стандарте DDR3 и эффективной рабочей частоте 1333 МГц (PC3-10600).
Также здесь приводится и основная задержка Column Address Strobe (CAS) latency, или сокращенно CL, которая составляет 9 тактов. Вполне достаточная информация, но мы встречали ранее и намного более развернутый перечень технических особенностей.
Чипы памяти, которые используются на двух модулях комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21, имеют маркировку S-POWER 20YT3N1. Этот факт говорит о производстве данных микросхем на заводах компании Silicon Power. Само наличие полного цикла производства памяти у этого производителя должно положительно влиять на конечную стоимость продукта.
При помощи утилит CPU-Z и AIDA64 можно узнать информацию, которая записана в SPD модулей. Именно данные из SPD использует BIOS материнской платы для автоматического определения режимов работы модуля при начальной загрузке системы.
В модуле Silicon Power SP004GBLTU133V01 записаны четыре JEDEC-режима работы: DDR3-457 МГц, DDR3-533 МГц, DDR3-609 МГц и DDR3-685 МГц при соответствующих задержках и напряжении питания 1,5 В.
Стандартным режимом для данной памяти является DDR3-685, как самый близкий к рекомендованной рабочей частоте в 667 МГц при задержках (таймингах) 9-9-9-25-34 для CL-tRCD-tRP-tRAS-tRС соответственно.
Такие величины задержек можно назвать вполне стандартными для современных модулей памяти. Однако надежда на увеличение частот работы до DDR3-1600 МГц с более высокой формулой таймингов (10-10-10) все же остается.
Какими-либо расширениями XMP, а также сертификатом «SLI Ready», который подразумевает наличие профилей EPP (Enhanced Performance Profiles) для увеличения производительности, данные модули отличиться не могут. С одной стороны это говорит об ориентации этой оперативной памяти на работу в обычных системах, а с другой – ничто не увеличивает их стоимость.
Характеристики модулей:
| Производитель и модель | Silicon Power SP008GBLTU133V21 (2 х SP004GBLTU133V01 DDR3 1333 MHz (CL9) 4G 1101SK0090) |
| Тип памяти | DDR3 |
| Объем модулей, ГБ | 2 x 4 |
| Форм-фактор | 240 pin U-DIMM |
| Стандартные режимы работы JEDEC | DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V |
| DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V |
Загрузка...
